[发明专利]射频谐振器与滤波器有效
| 申请号： | 201711482051.2 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108566177B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 卓尔·赫尔维茨 | 申请（专利权）人： | 珠海晶讯聚震科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H9/56 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 俞梁清 |
| 地址： | 519000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种滤波器封装元件，包括夹裹在下电极与一组上电极之间的一组压电薄膜：各个压电薄膜和上电极通过绝缘材料分隔开来；下电极连接至一转接板，下电极和转接板之间具有第一腔体；滤波器封装元件还包括具有既定的厚度的硅晶圆，与在硅晶圆和硅盖之间的一组上层腔体一起结合在上电极上方；每个上层腔体与一组的压电薄膜中一个居中对齐，上层腔体四周为包括绝缘材料的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 谐振器 滤波器 | ||
【主权项】：
1.滤波器封装元件，包括夹裹在一组下电极与上电极之间的一组压电薄膜：各个压电薄膜和上电极皆通过绝缘材料分隔开来；下电极连接至一转接板，下电极和转接板之间大部分由第一腔体隔开；滤波器封装元件还包括具有已知厚度的硅晶圆，硅晶圆附接在上电极上，且在硅晶圆和硅盖之间具有一组上层腔体；每个上层腔体与一组压电薄膜中的压电薄膜对齐，上层腔体包括绝缘材料的侧壁。
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