[发明专利]用于锝-99m的回旋加速器生产的方法、系统和装置

摘要

本发明涉及用于锝‑99m的回旋加速器生产的方法、系统和装置，所述方法包括下述步骤：(i)在基本无氧的环境中，用回旋加速器生成的质子照射涂有Mo‑100金属的硬化烧结靶板；(ii)用H2O2溶液从所述照射过的靶板中溶解钼原子和锝离子以形成氧化物溶液；(iv)将所述氧化物溶液的pH提高到大约14；(v)使调节过pH的氧化物溶液流过树脂柱，以使K[TcO4]离子固定在其上并从中洗脱K2[MoO4]离子；(vi)从所述树脂柱中洗脱结合的K[TcO4]离子；(vii)使洗脱的K[TcO4]离子流过氧化铝柱，以使K[TcO4]离子固定在其上；(viii)用水洗涤固定的K[TcO4]离子；(ix)用盐水溶液洗脱固定的K[TcO4]离子；和(x)回收洗脱的Na[TcO4]离子。

主权项

1.由钼‑100金属粉末生产锝‑99m的方法，其包括：

提供被具有小于大约10微米粒度的Mo‑100粒子涂布的过渡金属靶板，所述Mo‑100涂布的过渡金属靶板通过烧结而硬化；

在基本无氧的环境中，在大约16MeV至大约30MeV和大约80μA至大约300μA下用质子照射硬化的Mo‑100涂布的过渡金属靶板大约30分钟至大约8小时；

回收照射过的靶板并将所述照射过的靶板输送至锝‑99m‑回收模块；

用H₂O₂溶液从所述照射过的靶板中溶解钼原子和锝离子以形成氧化物溶液；

将所述氧化物溶液的pH提高到大约13至大约15以在其中形成K₂[MoO₄]离子和K[TcO₄]离子，或Na₂[MoO₄]离子和Na[TcO₄]离子；

使调节过pH的氧化物溶液流过树脂柱，以使K[TcO₄]离子、或者Na₂[MoO₄]离子和Na[TcO₄]离子固定在其上，并从中洗脱K₂[MoO₄]离子或Na₂[MoO₄]离子；

从所述树脂柱中洗脱结合的K[TcO₄]离子或Na[TcO₄]离子；

使洗脱的K[TcO₄]离子或Na[TcO₄]离子流过氧化铝柱，以使K[TcO₄]离子或Na[TcO₄]离子固定在其上；

用水洗涤固定的K[TcO₄]离子或Na[TcO₄]离子；

用盐水溶液洗脱固定的K[TcO₄]离子或Na[TcO₄]离子；和

回收洗脱的Na[TcO₄]或Na[TcO₄]离子。

2.权利要求1的方法，其中产生一种或多种氧化的钼物类，例如Mo₂(OH)(OOH)、H₂Mo₂O₃(O₂)₄、H₂MoO₂(O₂)及其组合。

3.用于由钼酸盐‑100生产锝‑99m的系统，其包含：

靶舱装置，用于在其内安放Mo‑100涂布的靶板；

靶舱拾取装置，用于接合靶舱装置并将靶室装置送入靶站装置；

靶站装置，用于接收并在其内安装靶舱装置，所述靶站装置与回旋加速器接合并可与所述回旋加速器通讯以用质子照射Mo‑100涂布的靶板；

接收室装置，用于接收并在其内安装照射过的靶舱装置；

将接收室装置和靶站装置互连的传送管；

溶解/提纯模块，用于在其内接收质子照射过的Mo‑100涂布靶板；

输送导管基础结构，其将(i)靶舱拾取装置与靶站装置互连，(ii)靶站装置与接收室装置互连；和(iii)接收室装置与溶解/提纯模块互连；和

向靶站装置供应无氧的气氛的装置。

4.权利要求3的系统，其另外包含与所述传送管接合的增压站装置。

5.用于在其上电泳安装钼‑100粉末的靶板，所述靶板包含：

用于接收钼‑100粉末的上表面；和

下表面，在其中提供用于使冷却剂流经其中的通道；

所述靶板包含过渡金属。

6.靶舱装置，用于接收和在其内安放权利要求5的靶板，所述靶舱装置具有用于接收流经其中的质子流的远端和近端，所述靶舱装置包含：

具有倾斜表面的底靶板架，用于在其上安装靶板，所述底靶板架带有：(i)与冷却剂流连通的端口，(ii)用于使冷却剂流向靶板底部的第一通道，和(iii)用于使冷却剂从靶板底部流走的第二通道；和

可拆卸地密封安装到底靶板架上的顶盖板，所述顶盖板具有与冷却剂流连通的端口和第三通道，该第三通道与底靶板架中的用于使冷却剂从靶板底部流走的第二通道连通。

7.靶舱拾取装置，用于可拆卸地与权利要求6的靶舱装置的末端接合。

8.靶站接收室装置，用于在其内接收权利要求6的靶舱装置，所述靶站接收室装置包含：

用于在其内接收靶舱组合件的靶引入管；

用于安置和回收靶舱组合件的驱动单元组合件；

置于靶引入管和驱动单元组合件之间的闸阀组合件；

其上安装着对接站的对接站托架台；

用于在其上传送对接站托架台的托架导轨；和

用于沿托架导轨传送对接站托架台的线性致动器。

9.靶站装置，用于在其内接收权利要求6的靶舱装置，所述靶站装置与真空室密封接合并带有用于将靶舱装置传送和安置到真空室中的滚筒组合件。