[发明专利]可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及锁模激光器在审
| 申请号： | 201711455794.0 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109980491A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 曾远康;陶丽丽;曾龙辉;龙慧 | 申请（专利权）人： | 香港理工大学 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国香港九龙红磡理*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本申请公开一种可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及锁模激光器。其中，可饱和吸收体制备方法包括：通过磁控溅射法在石英衬底上沉积铂元素薄膜；将所述铂元素薄膜放置于管式炉中进行热处理以获取二硒化铂薄膜，其中，所述热处理中，管式炉上游低温区放置高纯硒粉；以及通过所述二硒化铂薄膜制备可饱和吸收体。本申请公开的可饱和吸收体制备方法，具有制备方法简单，可实现工业化生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 可饱和吸收 可饱和吸收体 锁模激光器 热处理 铂薄膜 管式炉 硒化 制备 薄膜 磁控溅射法 低温区 高纯硒 石英衬 沉积 申请 上游 | ||
【主权项】：
1.一种可饱和吸收体制备方法，其特征在于，包括：通过磁控溅射法在石英衬底上沉积铂元素薄膜；将所述铂元素薄膜放置于管式炉中进行热处理以获取二硒化铂薄膜，其中，在热处理中，管式炉上游低温区放置高纯硒粉；以及通过所述二硒化铂薄膜制备可饱和吸收体。
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