[发明专利]可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及锁模激光器

权利要求书

1.一种可饱和吸收体制备方法，其特征在于，包括：

通过磁控溅射法在石英衬底上沉积铂元素薄膜；

将所述铂元素薄膜放置于管式炉中进行热处理以获取二硒化铂薄膜，其中，在热处理中，管式炉上游低温区放置高纯硒粉；以及

通过所述二硒化铂薄膜制备可饱和吸收体。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过磁控溅射法在石英衬底上沉积厚度为10nm的均匀连续的铂元素薄膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理中，

上游低温区温度为220℃，中心温度为450℃；

升温到450℃的时间为45分钟，保温时间为90分钟后自然冷却至室温。

4.一种可饱和吸收体，其特征在于，

所述可饱和吸收体为如权利要求1-3任一项方法制备的可饱和吸收体。

5.一种锁模激光器，其特征在于，包括：

泵浦光源；

谐振腔；以及

可饱和吸收体，所述可饱和吸收体的为如权利要求1-3任一项方法制备的可饱和吸收体。

6.如权利要求5所述的锁模激光器，其特征在于，所述泵浦光源为808nm的半导体激光器。

7.如权利要求5所述的锁模激光器，其特征在于，所述谐振腔为W型谐振腔。

8.如权利要求5所述的锁模激光器，其特征在于，所述谐振腔包括：

激光增益介质，所述激光增益介质为Nd:LuVO4，Nd³⁺掺杂浓度为0.5％，晶体尺寸为3×3×8mm³；

第一平面镜、第二平面镜、第三平面镜，以及第一凹透镜、第二凹透镜；

所述第一平面镜、第二平面镜、第三平面镜，以及第一凹透镜、第二凹透镜均镀808nm高透膜和1064nm高反膜。

9.如权利要求8所述的锁模激光器，其特征在于，

所述第一平面镜输出比例为3％；

所述第一凹透镜的曲率半径为1000mm；以及

第二凹透镜的曲率半径为300mm。

10.如权利要求8所述的锁模激光器，其特征在于，

所述第一平面镜与所述激光增益介质之间的距离为32mm；

所述激光增益介质与所述第二平面镜之间的距离为119mm；

所述第一平面镜与所述第一凹透镜之间的镜间距离为490mm；

所述第一凹透镜与所述第二凹透镜之间的镜间距离为1140mm；

所述第二凹透镜与所述第三平面镜之间的镜间距离155mm；以及

所述可饱和吸收体与所述第三平面镜之间的距离为3mm。