[发明专利]一种二硫化钨纳米管的制备方法有效

专利信息
申请号: 201711454387.8 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN108046327B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 胡柱东;林海敏 申请(专利权)人: 佛山科学技术学院
主分类号: C01G41/00 分类号: C01G41/00;B82Y40/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 谢泳祥
地址: 528000 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种二硫化钨纳米管的制备方法,其包括如下工艺步骤:1)将六羰基钨铺装在陶瓷坩埚底部,后将多孔阳极氧化铝模板开口向下置于六羰基钨上方,密封坩埚后置于管式炉中,在气体保护下低温升华沉积并高温热解,然后降温;2)真空管式炉降至室温后将模板开口向下置于装有硫粉的陶瓷坩埚中,密封坩埚后升温,使单质硫与金属钨直接反应;3)用稀酸溶液去除多孔氧化铝模板,用二硫化碳去除多余的硫,后进行抽滤处理,烘干,得成品。本发明方法步骤简单,无环境污染,无需复杂的设备,所制备得的二硫化钨纳米管粉体材料的尺寸可控性强,结晶性好,纳米管管壁形貌均匀,从而大大提高该二硫化钨纳米管粉体材料成品的综合性能。本发明具有广泛的适用性,有利于大规模工业化生产。
搜索关键词: 一种 硫化 纳米 制备 方法
【主权项】:
1.一种二硫化钨纳米管的制备方法,其特征在于,包括如下工艺步骤:1)以六羰基钨作为原料,多孔阳极氧化铝作为模板,将原料铺装在陶瓷坩埚底部,后将多孔阳极氧化铝模板开口向下置于原料上方,密封坩埚后置于真空管式炉中,在气体保护下加热,低温升华,使六羰基钨在多孔阳极氧化铝模板中沉积,继续升温,使六羰基钨沉积在多孔阳极氧化铝模板中热分解,得金属钨沉积;2)待步骤1)的真空管式炉降至室温后取出多孔阳极氧化铝模板并将其开口向下置于装有硫粉的陶瓷坩埚中,密封坩埚后置于真空管式炉中,在气体保护下升温,使单质硫与金属钨直接反应,停止加热,坩埚随炉冷却至室温;3)用稀酸溶液去除多孔氧化铝模板,用二硫化碳去除多余的硫,去离子水清洗,后进行抽滤处理,烘干,得成品。
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