[发明专利]用于高密度SRAM的位线捆扎方案有效
| 申请号： | 201711440928.1 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109427389B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | D·R·S·雷迪;V·布林格维加拉加万;V·B·苏里 | 申请（专利权）人： | 马维尔亚洲私人有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于高密度SRAM的位线捆扎方案。本公开涉及一种结构，其包括写入位开关器件，所述写入位开关器件包括位于存储器单元阵列的不同位置处的多个位开关器件，并且被配置为使能使用捆扎位线的在所述存储器单元阵列的选定列上的特定数量的每位线单元处的写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高密度 sram 捆扎 方案 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括写入位开关器件，所述写入位开关器件包括位于存储器单元阵列的不同位置处的多个位开关器件，并且被配置为使能使用捆扎位线的在所述存储器单元阵列的选定列上的特定数量的每位线单元处的写入操作。
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