[发明专利]高K介质沟槽横向双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711434029.0 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108565286B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;曹震;董自明;师通通;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种高K介质(High‑K Dielectric Pillar，HK)沟槽横向双扩散金属氧化物元素半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该器件的主要是在漏端形成深槽高介电常数介质层，高K介质沟槽层的下端深入到器件衬底上方的外延层，上端与器件的漏电极相连接。HK介质沟槽与元素半导体材料衬底形成MIS电容结构，器件关断时能够有效地辅助耗尽器件衬底的电荷，使得具有低阻衬底的LDMOS可以获得高的击穿电压；而且器件反向耐压时，HK介质沟槽均匀的电场有效调制了器件体内的电场分布，降低了器件漏端的纵向高电场，提升了器件的击穿电压，解决了LDMOS随着漂移区长度增加击穿电压易饱和的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 沟槽 横向 扩散 金属 氧化物 元素 半导体 场效应 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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