[发明专利]一种功率半导体器件有效
| 申请号： | 201711433645.4 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962104B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 张泉;唐龙谷;刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京聿华联合知识产权代理有限公司 11611 | 代理人： | 李哲伟;张文娟 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件，其包括：具有第一导电类型的衬底；有源区，其设置在衬底中并具有第二导电类型；若干场限环，其设置在衬底中并具有第二导电类型，有源区设置在场限环所形成的环形内部。相较于现有的功率半导体器件，本功率半导体器件中各个场限环的环宽之间存在基于环宽调整系数的函数关系，此外，各个场限环的间距之间还可以存在基于间距调整系数的函数关系，设计人员在对功率半导体器件进行设计制作时，通过调整场限环结构调节因子(包括环宽调整系数和间距调整系数)，即可快速有效地调节场限环终端结构，从而获得各种具有不同环宽和环间距的终端结构作为NGV‑FLR终端设计的备选方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括：具有第一导电类型的衬底；有源区，其设置在所述衬底中并具有第二导电类型；若干场限环，其设置在所述衬底中并具有第二导电类型，所述有源区设置在所述场限环所形成的环形内部。
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