[发明专利]一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法在审
| 申请号： | 201711417664.8 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108305773A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 高学绪;吕向科;汤明辉;丁勇;包小倩;王春国;李纪恒;卢克超;张雪娇 | 申请（专利权）人： | 宁波韵升股份有限公司;北京科技大学;宁波韵升磁体元件技术有限公司;包头韵升强磁材料有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C23C10/22;C23C10/26;C23C2/04 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315040 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，首先将熔点温度为400‑900℃、且含有至少一种稀土元素的合金加热至熔融，合金的加热温度高于合金的熔点温度且低于1000℃，然后将预热至温度为800℃‑1000℃的烧结钕铁硼磁体浸入扩散源中，浸泡时间不超过30s，接着烧结钕铁硼磁体拉出扩散源的液面后，采用风刀将温度为800℃‑1000℃的惰性气体喷射到烧结钕铁硼磁体表面，最后对烧结钕铁硼磁体不降温，先在800℃‑1000℃条件下对进行晶界扩散处理，然后在450℃‑550℃条件下进行低温回火处理；优点是扩散效率高，且过渡流转环节少，工艺过程简单，连续性强。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结钕铁硼磁体 熔点 制备高性能 扩散源 加热 合金 惰性气体喷射 温度高于合金 浸入 低温回火 工艺过程 晶界扩散 稀土元素 预热 风刀 拉出 流转 熔融 液面 浸泡 扩散 环节 | ||
【主权项】：
1.一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，首先将扩散源附着在烧结钕铁硼磁体表面形成涂层，然后对附着有涂层的烧结钕铁硼磁体进行扩散热处理，其特征在于将扩散源附着在烧结钕铁硼磁体表面形成涂层的具体过程为：(1)将熔点温度为400‑900℃、且含有至少一种稀土元素的合金加热至熔融，得到熔融状态的扩散源，其中所述的合金的加热温度高于所述的合金的熔点温度且低于1000℃；(2)保持所述的扩散源的温度不变，将预热至温度为800℃‑1000℃的烧结钕铁硼磁体浸入所述的扩散源中，浸泡时间不超过30s；(3)将浸泡后的烧结钕铁硼磁体拉出所述的扩散源的液面后，采用风刀将温度为800℃‑1000℃的惰性气体喷射到烧结钕铁硼磁体表面，烧结钕铁硼磁体表面形成涂层，所述的涂层厚度不超过50μm；所述的扩散热处理的具体过程为：先在800℃‑1000℃条件下对附着有涂层的烧结钕铁硼磁体进行晶界扩散处理，然后在450℃‑550℃条件下对晶界扩散处理后的烧结钕铁硼磁体进行低温回火处理。
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