[发明专利]一种烧结钕铁硼磁体晶界扩散的方法

摘要

本发明公开了一种烧结钕铁硼磁体晶界扩散的方法，首先将扩散源附着在烧结钕铁硼磁体表面形成涂层，然后进行脱氢处理，最后对涂层进行扩散处理，扩散源为R1‑R2‑M型合金的氢化物粉末，R1‑R2‑M型合金的熔点为400‑800℃，R1为La、Ce、Nd和Pr中的至少一种稀土元素或者为La、Ce、Nd和Pr中的至少一种稀土元素与除La、Ce、Nd和Pr以外的其他一种或者多种稀土元素的混合物，R2为Tb、Dy和Ho中的至少一种元素，M为Cu、Al和Ga中的至少一种元素或者为Cu、Al和Ga中的至少一种元素与除Cu、Al和Ga以外的其他一种或者多种非稀土元素的混合物，脱氢处理的真空度优于10^‑2Pa，温度为950‑1050℃，时间为0.5‑5h；优点是扩散难度小，扩散效率高，且扩散效果好，适用于批量化操作。

主权项

1.一种烧结钕铁硼磁体晶界扩散的方法，将扩散源附着在烧结钕铁硼磁体表面形成涂层后，对所述的涂层进行扩散处理，其特征在于所述的扩散源为R1‑R2‑M型合金的氢化物粉末，R1‑R2‑M型合金的熔点为400‑800℃，R1为La、Ce、Nd和Pr中的至少一种稀土元素或者为La、Ce、Nd和Pr中的至少一种稀土元素与除La、Ce、Nd和Pr以外的其他一种或者多种稀土元素的混合物，R2为Tb、Dy和Ho中的至少一种元素，M为Cu、Al和Ga中的至少一种元素或者为Cu、Al和Ga中的至少一种元素与除Cu、Al和Ga以外的其他一种或者多种非稀土元素的混合物；在将扩散源附着在烧结钕铁硼磁体表面形成涂层之后，对所述的涂层进行扩散处理之前进行脱氢处理，所述的脱氢处理具体为：在真空度优于10^‑2Pa的环境中，在温度为950‑1050℃的条件下，将具有涂层的烧结钕铁硼磁体进行脱氢处理，脱氢处理的时间为0.5‑5h；对具有涂层的烧结钕铁硼磁体进行脱氢处理后，所述的涂层的氢含量小于800ppm。