[发明专利]一种抽样检测方法有效
申请号: | 201711415466.8 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108054113B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 李磊;严诗佳 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 董科 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本分发明提供了一种抽样检测方法,应用于半导体产品的制备中,其中,提供多个量测设备;提供多个批次的待测的半导体产品;包括以下步骤:根据预设的设备评估规则获取关于总的量测设备的第一风险评估值;根据预设的产品评估规则获取每一批次的关于半导体产品的第二风险评估值;将每个批次半导体产品对应的第二风险评估值与第一风险评估值进行比较,以获得比较结果;根据比较结果,仅将第二风险评估值高于第一风险评估值的批次的半导体产品作为检测对象,第二风险值评估值低于第一风险评估值批次的半导体产品跳过量测设备,不进量测设备检测。其技术方案的有益效果在于,克服了现有技术中采用的固定抽样方式并不能真实的反应出产品的质量的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 抽样 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种抽样检测方法,应用于半导体产品的制备中,其特征在于,提供多个量测设备;提供多个批次的待测的半导体产品;包括以下步骤:步骤S1、根据预设的设备评估规则获取关于总的所述量测设备的第一风险评估值;步骤S2、根据预设的产品评估规则获取每一批次的关于所述半导体产品的第二风险评估值;步骤S3、将每个批次的所述半导体产品对应的所述第二风险评估值与所述第一风险评估值进行比较,以获得比较结果;步骤S4、根据所述比较结果,仅将所述第二风险评估值高于所述第一风险评估值的批次的所述半导体产品作为检测对象,所述第二风险值评估值低于第一风险评估值批次的半导体产品跳所述过量测设备,不进所述量测设备检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造