[发明专利]MIM电容器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201711380028.2 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN108123042A 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳迈辽技术转移中心有限公司
主分类号: H01L49/02 分类号: H01L49/02
代理公司: 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 代理人: 曹明兰
地址: 518000 广东省深圳市龙华新区大浪街道龙*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种MIM电容器包括衬底、形成于衬底上的绝缘层、形成于绝缘层上的导电材料层、形成于部分导电材料层上的第一电极、形成于第一电极上的第一介质、形成于第一介质上的第二电极、形成于第二电极上的隔离层、形成于隔离层上的第三电极、贯穿隔离层将第二电极与第三电极电连接的连接元件、设置于第三电极上的第二介质、形成于第二介质上的第四电极、形成于另一部分导电材料层及第四电极上的钝化层、贯穿钝化层且对应导电材料层的第一接触孔、贯穿钝化层且对应第四电极的第二接触孔、通过第一接触孔与导电材料层电连接的第一引线结构、形成于钝化层且对应第三电极或第二电极的第三接触孔、通过第三接触孔与第三电极或第二电极电连接的第二引线结构。
搜索关键词: 导电材料层 第二电极 第三电极 接触孔 钝化层 电连接 隔离层 电极 绝缘层 第一电极 引线结构 衬底 贯穿 连接元件 制作
【主权项】:
一种MIM电容器,其特征在于:所述MIM电容器包括衬底、形成于所述衬底上的绝缘层、形成于所述绝缘层上的导电材料层、形成于部分所述导电材料层上的第一电极、形成于所述第一电极上的第一介质、形成于所述第一介质上的第二电极、形成于所述第二电极上的隔离层、形成于所述隔离层上的第三电极、贯穿所述隔离层将所述第二电极与第三电极电连接的连接元件、设置于所述第三电极上的第二介质、形成于所述第二介质上的第四电极、形成于另一部分所述导电材料层及所述第四电极上的钝化层、贯穿所述钝化层且对应所述导电材料层的第一接触孔、贯穿所述钝化层且对应所述第四电极的第二接触孔、通过所述第一接触孔与所述导电材料层电连接的第一引线结构、形成于所述钝化层且对应所述第三电极或第二电极的第三接触孔、通过所述第三接触孔与所述第三电极或第二电极电连接的第二引线结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳迈辽技术转移中心有限公司,未经深圳迈辽技术转移中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711380028.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top