[发明专利]一种多元磁控溅射的方法及装置、制备金属锂复合电极的方法、制备电极的设备有效
| 申请号： | 201711370954.1 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108559961B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张晓琨;税烺 | 申请（专利权）人： | 成都亦道科技合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司： | 成都帝鹏知识产权代理事务所(普通合伙) 51265 | 代理人： | 黎照西 |
| 地址： | 610213 四川省成都市天府新区天府大道*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及锂电池技术领域，尤其涉及一种多元磁控溅射的方法及装置、制备金属锂复合电极的方法、制备电极的设备。本发明的多元磁控溅射的方法及装置、制备金属锂复合电极的方法、制备电极的设备可以同时进行多种靶材的溅射镀膜，而且可以根据设定各个靶材的溅射速度来得到不同原子比例组分的薄膜，当需要溅射获得不同成分的薄膜时，直接替换靶材即可，流程简单快捷，生产效率高，符合大规模生产的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多元 磁控溅射 方法 装置 制备 金属 复合 电极 设备 | ||
【主权项】：
1.一种多元磁控溅射的方法，该磁控溅射在磁控溅射腔内进行，所述磁控溅射腔具有多个靶材位，所述磁控溅射腔设定有多个通道，多个通道分别对多个靶材位上产生的原子进行引导并通过一汇流口，多种原子在汇流口处进行混合，其特征在于：该多元磁控溅射的方法包括以下步骤：S1：在多个靶材位上安装多个靶材并提供待镀膜基片；S2：对磁控溅射腔进行抽真空；S3：按预定待镀膜中各原子组分比例设定每个靶材的溅射速度并开始磁控溅射以对汇流口处的待镀膜基片沉积预定原子组分比例的膜。
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