[发明专利]一种多元磁控溅射的方法及装置、制备金属锂复合电极的方法、制备电极的设备

权利要求书

1.一种多元磁控溅射的方法，该磁控溅射在磁控溅射腔内进行，所述磁控溅射腔具有多个靶材位，所述磁控溅射腔设定有多个通道，多个通道分别对多个靶材位上产生的原子进行引导并通过一汇流口，多种原子在汇流口处进行混合，其特征在于：该多元磁控溅射的方法包括以下步骤：

S1：在多个靶材位上安装多个靶材并提供待镀膜基片；

S2：对磁控溅射腔进行抽真空；

S3：按预定待镀膜中各原子组分比例设定每个靶材的溅射速度并开始磁控溅射以对汇流口处的待镀膜基片沉积预定原子组分比例的膜；在镀膜过程中，可移动待镀膜极片经过汇流口处时，位于汇流口处的多种原子的混合溅射源对待镀膜基片进行溅射镀膜。

2.如权利要求1所述的多元磁控溅射的方法，其特征在于：所述步骤S2中磁控溅射腔的真空度为10^-7～10^-5Torr。

3.如权利要求1所述的多元磁控溅射的方法，其特征在于：所述基片可相对汇流口移动，基片的移动速度为0.1mm/min～1mm/min。

4.如权利要求1所述的多元磁控溅射的方法，其特征在于：该多元磁控溅射的方法在步骤S3之后进一步包括以下步骤：

S5：由机械手取出溅射镀膜后的基片。

5.如权利要求1所述的多元磁控溅射的方法，其特征在于：所述多元磁控溅射的方法在步骤S2和步骤S3之间进一步包括以下步骤：

S21：向磁控溅射腔内注入惰性气体。

6.一种制备金属锂复合负极的方法，其特征在于：所述制备金属锂复合负极的方法包括如1～5任一项所述的多元磁控溅射的方法和以下步骤：

S6：对溅射镀膜后的基片进行涂布处理；

S7：对涂布后的基片进行热压处理。

7.如权利要求6所述的金属锂复合负极的方法，其特征在于：所述靶材为锂靶、硅靶和碳靶。

8.一种多元磁控溅射装置，其特征在于：所述多元磁控溅射装置包括多个靶位、多个引导管、磁控溅射腔以及基片台，所述多个靶位、多个引导管及基片台均收纳在磁控溅射腔内，所述多个靶位用于安装多个相同或者不同的靶材，所述多个引导管的一端分别与多个靶位一一对应连接，另一端汇合在一处形成一混合溅射源汇流口，所述基片台用于承载基片且相对于混合溅射源汇流口可移动，位于汇流口处的多种原子的混合溅射源对待镀膜基片进行溅射镀膜。

9.一种制备电极的设备，其特征在于：所述制备电极的设备包括如权利要求8所述的多元磁控溅射装置和手套箱，所述多元磁控溅射装置设置在手套箱中，所述手套箱中填充有保护性气体。

10.如权利要求9所述的制备电极的设备，其特征在于：所述制备电极的设备还包括涂布装置和热压装置，所述涂布装置和热压装置均设置在手套箱内，所述涂布装置与多元磁控溅射装置相连，其用于对溅射沉积后的基片进行涂布处理，所述热压装置与涂布装置相连，其用于对完成涂布后的基片进行热压处理。