[发明专利]一种受损锡球修复方法在审
| 申请号： | 201711366222.5 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108364876A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈海洋 | 申请（专利权）人： | 海太半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B23K3/00 |
| 代理公司： | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人： | 赵华 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于修复受损锡球，使受损的锡球形成饱满的外形。本发明提供一种受损锡球修复方法，步骤一，将溶剂喷洒在受损锡球表面，和受损锡球产品一起放入回流焊设备；步骤二，回流焊设备需要根据产品及溶剂特性设定7个温区；步骤三，第一至第三个温区设立恒温区；步骤四，第四、第五温区设立为融化熔融区；步骤五，第六和第七温区设立为降温区；步骤六，经过降温区后产品自动进入清洗设备，使用纯水对产品进行清洗，清除表面溶剂；步骤七，进行后期信赖性测试。 | ||
| 搜索关键词： | 锡球 受损 温区 回流焊设备 降温区 修复 信赖性测试 表面溶剂 清洗设备 溶剂特性 恒温区 熔融区 放入 溶剂 喷洒 清洗 融化 | ||
【主权项】：
1.一种受损锡球修复方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一，将溶剂喷洒在受损锡球表面，和受损锡球产品一起放入回流焊设备；步骤二，回流焊设备需要根据产品及溶剂特性设定7个温区；步骤三，第一至第三个温区设立恒温区；步骤四，第四、第五温区设立为融化熔融区；步骤五，第六和第七温区设立为降温区；步骤六，经过降温区后产品自动进入清洗设备，使用纯水对产品进行清洗，清除表面溶剂；步骤七，进行后期信赖性测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
