[发明专利]基于横向二极管的TSV转接板及其制备方法有效

申请号：	201711349175.3	申请日：	2017-12-15
公开（公告）号：	CN108063114B	公开（公告）日：	2019-11-22
发明（设计）人：	张捷	申请（专利权）人：	台州第五空间航空科技有限公司
主分类号：	H01L21/762	分类号：	H01L21/762;H01L21/768;H01L23/538;H01L27/02
代理公司：	33264 宁波高新区永创智诚专利代理事务所(普通合伙)	代理人：	孙青松<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址：	317602 浙江省台州市***	国省代码：	浙江;33
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及一种基于横向二极管的TSV转接板及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；刻蚀所述Si衬底分别形成多个TSV和多个隔离沟槽；刻蚀所述Si衬底在所述隔离沟槽之间形成多个器件沟槽；填充所述隔离沟槽和所述TSV分别形成隔离区和TSV区；在所述器件沟槽制备横向二极管；制备所述TSV区的第一端面与所述横向二极管的铜互连线；在所述TSV区的第二端面制备铜凸点以完成所述TSV转接板的制备。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
搜索关键词：	基于横向二极管 tsv 转接及其制备方法
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【主权项】：

1.一种基于横向二极管的TSV转接板的制备方法，其特征在于，包括：/nS101、选取Si衬底；/nS102、刻蚀所述Si衬底分别形成TSV孔和隔离沟槽；/nS103、刻蚀所述Si衬底在所述隔离沟槽之间形成器件沟槽；/nS104、填充所述隔离沟槽和所述TSV孔分别形成隔离区和TSV区；/nS105、在所述器件沟槽制备横向二极管；/nS106、在所述TSV区的第一端面与所述横向二极管之间形成互连线；/nS107、在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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