[发明专利]基于SOI基底的高通量细胞电融合芯片在审
| 申请号： | 201711349046.4 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108102911A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 余炳麟 | 申请（专利权）人： | 佛山市晴天视觉数字科技有限公司 |
| 主分类号： | C12M1/42 | 分类号： | C12M1/42 |
| 代理公司： | 佛山帮专知识产权代理事务所(普通合伙) 44387 | 代理人： | 颜春艳 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出了一种基于SOI基底的高通量细胞电融合芯片，其特征在于，其由SOI基片及玻璃盖片结合而成，并采用多层陶瓷进行DIP(Dual in‑line package)封装；所述芯片尺寸为1.2cm×1.2cm，分为6个功能区域，每个功能区域相对独立。采用微电极阵列可以实现细胞的大量融合并提高细胞融合效率。本发明建立了一种新颖的细胞电融合芯片结构，结合ANAYS仿真软件对设计进行了优化，并利用MEMS技术加工了细胞电融合芯片。由于芯片采用微阵列结构，可以在较低的驱动电压下成细胞电融合相关实验研究。芯片具备极高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 细胞电融合芯片 功能区域 芯片 高通量 基底 细胞融合效率 微电极阵列 微阵列结构 细胞电融合 玻璃盖片 多层陶瓷 仿真软件 高可靠性 驱动电压 实验研究 相对独立 封装 细胞 融合 加工 优化 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI基底的高通量细胞电融合芯片，其特征在于，其由SOI基片及玻璃盖片结合而成，并采用多层陶瓷进行DIP(Dual in-line package)封装；所述芯片尺寸为1.2cm×1.2cm，分为6个功能区域，每个功能区域相对独立；采用微电极阵列可以实现细胞的大量融合并提高细胞融合效率。
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