[发明专利]一种GaN基黄光LED结构在审
| 申请号： | 201711334944.2 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108010999A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 罗艳 | 申请（专利权）人： | 四川九鼎智远知识产权运营有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/24;H01L33/20 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 詹永斌 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基黄光LED结构。其包括芯片组件和发光二极管组件；芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极；外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN准备层、黄光多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层，N电极设于N型掺杂GaN接触层上，P电极设于透明导电层上，InGaN准备层和黄光多量子阱层包含有倒锥形结构，发光二极管组件包括用于固定芯片组件的支架、焊线和支架电极。本发明能够避免出现裂片、碎片现象，且提高均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基黄光 led 结构 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基黄光LED结构，其特征在于，包括芯片组件和发光二极管组件；所述芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极；所述外延层包括依次层叠的InN缓冲层、AlGaN缓冲层、非故意掺杂GaN接触层、N型掺杂GaN接触层、InGaN准备层、黄光多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN接触层以及透明导电层，所述N电极设于所述N型掺杂GaN接触层上，所述P电极设于所述透明导电层上，所述InGaN准备层和黄光多量子阱层包含有倒锥形结构，所述发光二极管组件包括用于固定所述芯片组件的支架、焊线和支架电极。
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