[发明专利]霍尔器件的形成方法有效
| 申请号： | 201711334614.3 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN107946458B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈莉芬;刘宇;余长敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14;H01L43/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种霍尔器件的形成方法，首先对形成霍尔器件的衬底进行检测，检测出所述衬底的掺杂浓度，再指定霍尔器件的电阻范围，然后根据指定的霍尔器件的电阻范围和所述衬底的掺杂浓度选择离子注入浓度的范围，采用所述离子注入浓度的范围中的任意一个值，对所述衬底进行离子注入；采用所述衬底制成霍尔器件。通过检测衬底的掺杂浓度，适应性调整离子注入的浓度，使所述霍尔器件的电阻保持在指定的电阻范围之内，减小了阻值漂移问题，提高的霍尔器件的精度和灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 霍尔 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种霍尔器件的形成方法，其特征在于，所述霍尔器件的形成方法包括：提供衬底，检测出所述衬底的掺杂浓度；指定霍尔器件的电阻范围；根据所述霍尔器件的电阻范围和所述衬底的掺杂浓度选择离子注入浓度的范围；在所述离子注入浓度的范围中，对所述衬底进行离子注入；采用所述衬底制成霍尔器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711334614.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
