[发明专利]霍尔器件的形成方法

说明书

本发明提供了一种霍尔器件的形成方法，首先对形成霍尔器件的衬底进行检测，检测出所述衬底的掺杂浓度，再指定霍尔器件的电阻范围，然后根据指定的霍尔器件的电阻范围和所述衬底的掺杂浓度选择离子注入浓度的范围，采用所述离子注入浓度的范围中的任意一个值，对所述衬底进行离子注入；采用所述衬底制成霍尔器件。通过检测衬底的掺杂浓度，适应性调整离子注入的浓度，使所述霍尔器件的电阻保持在指定的电阻范围之内，减小了阻值漂移问题，提高的霍尔器件的精度和灵敏度。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种霍尔器件的形成方法。

背景技术

霍尔器件是应用霍尔效应的半导体，一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等，是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。根据霍尔效应做成的霍尔器件，是以磁场为工作媒体(通过检测磁场变化，转变为电信号输出)，将物体的运动参量转变为数字电压的形式输出，使之具备传感和开关的功能。

霍尔器件的电阻直接影响其精度和灵敏度，现有的形成霍尔器件的方法无法将霍尔器件的电阻维持在一个较为稳定的水平，形成的霍尔器件电阻值漂移巨大，对器件的性能和良率造成了极大的影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种霍尔器件的形成方法，以解决现有技术中形成的霍尔器件电阻值漂移大，器件的性能和良率低等问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种霍尔器件的形成方法，所述霍尔器件的形成方法包括：

提供衬底，检测出所述衬底的掺杂浓度；

指定霍尔器件的电阻范围；

根据所述霍尔器件的电阻范围和所述衬底的掺杂浓度选择离子注入浓度的范围；

在所述离子注入浓度的范围中，对所述衬底进行离子注入；

采用所述衬底制成霍尔器件。

可选的，当所述衬底的掺杂浓度固定时，所述离子注入浓度越大，所述霍尔器件的电阻越小；当所述衬底的掺杂浓度固定时，所述离子注入浓度越小，所述霍尔器件的电阻越大。

可选的，当所述离子注入浓度固定时，所述衬底的掺杂浓度越大，所述霍尔器件的电阻越小；当所述离子注入浓度固定时，所述衬底的掺杂浓度越小，所述霍尔器件的电阻越大。

可选的，所述衬底的掺杂浓度包括8ohm/cm～12ohm/cm。

可选的，所述离子注入浓度的范围包括2E12/cm²～50E12/cm²。

可选的，对所述衬底注入的离子与所述衬底掺杂的离子相同。

可选的，对所述衬底注入的离子包括硼离子或磷离子。

可选的，对所述衬底进行离子注入的电压包括150Kev～200Kev。

可选的，所述衬底包括硅衬底、锗硅衬底、锑化铟衬底或砷化镓衬底。

可选的，用所述衬底制成霍尔器件的方法包括:

在所述衬底上生长外延层；

在所述外延层上涂布光刻胶，并曝光以形成图形化的光刻胶层；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除所述图形化的光刻胶层以外的外延层；

去除所述图形化的光刻胶层；

在所述外延层上形成电极。