[发明专利]一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板及抛光装置在审
申请号: | 201711328463.0 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN108356684A | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 王阳;孙聂枫;孙同年 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02;B24B41/06 |
代理公司: | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人: | 王苑祥;郝晓红 |
地址: | 050000 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板及抛光装置,属晶片抛光技术领域,采用的技术方案是一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板,包括定位在抛光头上的陶瓷盘,陶瓷盘盘面上开设有凹槽,凹槽内定位有真空吸盘,所述真空吸盘周向边沿向下延伸形成帽檐结构,真空吸盘内表面设有沟道并借助贯穿陶瓷盘的真空孔与真空发生结构连接形成对晶片真空吸附定位。有益效果是省去了粘蜡、除蜡等工艺环节,缩短了加工时间,避免了污染;帽檐结构对晶片有防划伤的保护作用,更适用于Si、Ge、GaAs、InP等需要挥发性元素形成的、硬度较低的半导体晶片的抛光;对晶片有稳定的定位保持作用,提高了成品率和厚度均匀性;降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 半导体晶片抛光 真空吸附 真空吸盘 晶片 帽檐结构 抛光装置 抛光 陶瓷盘 真空吸附定位 半导体晶片 厚度均匀性 挥发性元素 工艺环节 结构连接 晶片抛光 向下延伸 成品率 防划伤 内表面 真空孔 除蜡 沟道 生产成本 陶瓷 贯穿 加工 污染 | ||
【主权项】:
1.一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板,包括定位在抛光头(4)上的陶瓷盘(1),其特征在于,所述陶瓷盘(1)盘面上开设有凹槽,凹槽内定位有真空吸盘(2), 所述真空吸盘(2)周向边沿向下延伸形成帽檐(2‑1)结构,真空吸盘(2)内表面设有沟道(2‑2)并借助贯穿陶瓷盘(1)的真空孔(1‑1)与真空发生结构连接形成对晶片(3)真空吸附定位。
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