[发明专利]多模式射频功率放大器在审
| 申请号： | 201711314662.6 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108055011A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 赵罡 | 申请（专利权）人： | 无锡中普微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/19 | 分类号： | H03F3/19;H03F3/21;H03F1/56;H03F3/24 |
| 代理公司： | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人： | 朱亦倩 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市蠡园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种射频功率放大器，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的多级射频功率放大单元，每级射频功率放大单元均包括一双极型晶体管；耦接于初级射频功率放大单元的双极型晶体管的集电极和基极之间的反馈电路，该反馈电路包括有模式控制端，通过调整模式控制端的电压值来调整所述反馈电路的阻抗状态，进而调整所述射频功率放大器工作在不同工作模式下。这样使得同一个射频功率放大器能够支持不同的工作模式，比如可以同时支持高功率高增益模式和高线性低增益模式。 | ||
| 搜索关键词： | 模式 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
1.一种射频功率放大器，其特征在于，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的多级射频功率放大单元，每级射频功率放大单元均包括一双极型晶体管；耦接于初级射频功率放大单元的双极型晶体管的集电极和基极之间的反馈电路，该反馈电路包括有模式控制端，通过调整模式控制端的电压值来调整所述反馈电路的阻抗状态，进而调整所述射频功率放大器工作在不同工作模式下。
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