[发明专利]一种无运放带隙基准电路

摘要

本发明提供一种无运放带隙基准电压电路，包括第零、一、三、四MOS管组成的镜像电流源，以及第五、六、七、八MOS管组成的镜像电流源；第一三极管的集电极和第二三极管基极相连；第二三极管的集电极和第三三极管基极相连；第三三极管的集电极和第四三极管的发射级相连；第四三极、五三极管的基级通过第三电阻和第二三极管的集电极、第三三极管的基级、第一MOS管的源级相连并直接输出基准电压。本发明的带隙基准电压为负温度系数的基极‑发射极电压之差与一个正温度系数的电压之和，使带隙基准电压几乎不受温度的影响，稳定性高，省去了运算器放大器，避免了由于运放差分输入失配而引起的输入失调，具有高精度、结构简单、实用性强的特点。

主权项

1.一种无运放带隙基准电压电路，其特征在于，包括第零MOS管、第一MOS管、第三MOS管、第四MOS管组成的镜像电流源，以及第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管组成的镜像电流源；第零MOS管、第三MOS管、第六MOS管、第七MOS管的源极和电源相连；第零MOS管的栅极、漏极和第一MOS管的漏极相连；第一三极管的集电极和第二三极管的基极通过第五电阻相连；第二三极管的集电极、第三三极管的基极以及第三电阻的第二端相连；第三三极管的集电极和第四三极管的发射极通过第七电阻相连；第二MOS管的栅极、源极分别和第四三极管、第五三极管的集电极相连；第二MOS管的漏极和第八MOS管的漏极相连；第四三极管的集电极和第一MOS管、第二MOS管、第四MOS管的栅极相连；第五三极管的发射极通过第八电阻接地；第二三极管的发射极通过第六电阻接地；第一三极管、第三三极管的发射极直接接地；第四MOS管的漏极通过第一电阻接地；第四三极管、第五三极管的基极通过第三电阻和第二三极管的集电极、第三三极管的基极相连，第四三极管、第五三极管的基极还和第一MOS管的源极相连并直接输出基准电压；第三MOS管的栅极、漏极和第四MOS管的源极相连；第五MOS管的源极和第六MOS管的漏极相连；第五MOS管的栅极和第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管的栅极相连；第七MOS管的漏极与第八MOS管的源极相连。