[发明专利]一种全息光存储聚合物及其制造方法有效
| 申请号： | 201711259188.1 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN108047369B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 危仁波;童利芬;尤勇;刘孝波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08F120/36 | 分类号： | C08F120/36;G11B7/245 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种全息光存储聚合物及其制造方法。全息光存储聚合物是一种含有手性基团的假芪型偶氮高分子材料。全息光存储聚合物的制造方法是以S‑2‑甲基‑1‑丁醇为手性源，通过与4‑氨基苯甲酸反应得到带有手性基团的苯胺衍生物，然后再通过重氮偶合反应制备含有手性基团的假芪型偶氮单体，最后通过聚合反应将合成的偶氮单体聚合得到相应的聚合物。全息光存储聚合物的偶氮基团与聚合物主链之间的柔性间隔基为2‑16个亚甲基。该全息光存储聚合物的分子量可调，在532纳米的干涉激光照射下，可以在该全息光存储聚合物表面加工出12重及以上的表面准晶结构，可以在1分钟内于该全息光存储聚合物膜表面进行全息光存储，形成的全息图案可以被擦除并重新写入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全息 存储 聚合物 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全息光存储聚合物，其特征在于：该全息光存储聚合物是一种含有手性基团的假芪型偶氮高分子材料，其中的偶氮基团与聚合物主链之间的柔性间隔基的长度为2-16个亚甲基，其结构式为式Ⅰ所示：/n
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