[发明专利]基于电感的储能电池组无损均衡改良电路及其均衡方法

摘要

本发明公开了一种基于电感的储能电池组无损均衡改良电路及其均衡方法，减少均衡改良电路中储能元件的数量，简化均衡改良电路。本发明包含电池组，电池组由电池B1、B2……Bn依次串联；均衡改良电路中的储能电感L数量为n/2个，储能电感L由上至下分别为L1、L3……Ln‑1；储能电感L连接在电池负极与右端MOSFET管源极S之间。本发明采用反并联MOSFET管取代储能元件，电池组通过控制均衡改良电路中的MOSFET管的通断与电感的储能作用，改善电池组不均衡的现象，提高电池组的可用容量，减小电池组的维修和更换周期，延长电池组的使用寿命。

主权项

1.一种基于电感的储能电池组无损均衡改良电路，包含电池组，电池组由电池B1、B2……Bn组成，电池数量为n，n为偶数，均衡改良电路中的电池由上至下分别为B1、B2……Bn，电池组的电池B1、B2……Bn依次串联；其特征在于，均衡改良电路中的储能电感L数量为n/2个，储能电感L由上至下分别为L1、L3……Ln‑1；MOSFET管开关分为两部分，最右端的部分为右端MOSFET管Sk，另一部分是中间的反并联MOSFET管Sm；右端MOSFET管Sk数量为n，由上至下右端MOSFET管Sk分别为S1、S2……Sn串联，右端MOSFET管Sk的栅极G连接控制电路，右端MOSFET管Sk的漏极D连接电池正极，右端MOSFET管Sk的源极S连接电池负极；另一部分是中间的反并联MOSFET管Sm，采用反并联的连接方式，每2个MOSFET管为一组，反并联MOSFET管Sm均是指2个反并联的MOSFET管组成的整体，反并联MOSFET管Sm的第一MOSFET管漏极D与反并联MOSFET管Sm的第二MOSFET管漏极D连接，反并联MOSFET管Sm的第一MOSFET管栅极G与反并联MOSFET管Sm的第二MOSFET管栅极G相连后连接到控制电路，反并联MOSFET管Sm的第一MOSFET管源极S连接电池，反并联MOSFET管Sm的第二MOSFET管源极S连接与电池对应的右端MOSFET管Sk的源极S；储能电感L连接在电池负极与右端MOSFET管Sk源极S之间；反并联的MOSFET管Sm数量为(n‑2)/2，由上至下分别为Sm2、Sm4……Sm(n‑2)；依次往下进行反并联MOSFET管Sm、电池B、储能电感L、右端MOSFET管Sk相同连接。