[发明专利]基于电感的储能电池组无损均衡改良电路及其均衡方法在审
申请号: | 201711250101.4 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN108306352A | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 刘厚德;康龙云;卢楚生;饶华兵;辛创;刘坤富 | 申请(专利权)人: | 东莞市德尔能新能源股份有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人: | 谭一兵 |
地址: | 523770 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池组 电路 改良 电感 均衡 储能电感 储能电池组 储能元件 无损均衡 维修和更换 储能作用 电池负极 可用容量 控制均衡 使用寿命 依次串联 不均衡 反并联 减小 通断 源极 电池 | ||
1.一种基于电感的储能电池组无损均衡改良电路,包含电池组,电池组由电池B1、B2……Bn组成,电池数量为n,n为偶数,均衡改良电路中的电池由上至下分别为B1、B2……Bn,电池组的电池B1、B2……Bn依次串联;其特征在于,均衡改良电路中的储能电感L数量为n/2个,储能电感L由上至下分别为L1、L3……Ln-1;
MOSFET管开关分为两部分,最右端的部分为右端MOSFET管Sk,另一部分是中间的反并联MOSFET管Sm;右端MOSFET管Sk数量为n,由上至下右端MOSFET管Sk分别为S1、S2……Sn串联,右端MOSFET管Sk的栅极G连接控制电路,右端MOSFET管Sk的漏极D连接电池正极,右端MOSFET管Sk的源极S连接电池负极;另一部分是中间的反并联MOSFET管Sm,采用反并联的连接方式,每2个MOSFET管为一组,反并联MOSFET管Sm均是指2个反并联的MOSFET管组成的整体,反并联MOSFET管Sm的第一MOSFET管漏极D与反并联MOSFET管Sm的第二MOSFET管漏极D连接,反并联MOSFET管Sm的第一MOSFET管栅极G与反并联MOSFET管Sm的第二MOSFET管栅极G相连后连接到控制电路,反并联MOSFET管Sm的第一MOSFET管源极S连接电池,反并联MOSFET管Sm的第二MOSFET管源极S连接与电池对应的右端MOSFET管Sk的源极S;
储能电感L连接在电池负极与右端MOSFET管Sk源极S之间;
反并联的MOSFET管Sm数量为(n-2)/2,由上至下分别为Sm2、Sm4……Sm(n-2);
依次往下进行反并联MOSFET管Sm、电池B、储能电感L、右端MOSFET管Sk相同连接。
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