[发明专利]一种硅微米柱阵列有机无机杂化太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅微米柱阵列有机无机杂化太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。该硅微米柱阵列有机无机杂化太阳能电池的制备方法包括：n型硅片的清洗；硅微米柱阵列的制备；P3HT‑Cs2CO3界面层的制备；P3HT‑CuS复合层的制备；ITO透明导电层的制备；正面电极的制备；背面电极的制备。所述硅微米柱阵列有机无机杂化太阳能电池的光电转换效率高达13.2％。

主权项

1.一种硅微米柱阵列有机无机杂化太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)n型硅片的清洗；(2)利用干法刻蚀在n型硅片的表面制备硅微米柱阵列，然后在HF溶液中浸泡以去除所述n型硅片表面的自然氧化物；(3)P3HT-Cs2CO3界面层的制备：在步骤(2)得到的n型硅片的正面旋涂P3HT-Cs2CO3混合溶液，其中所述P3HT-Cs2CO3混合溶液中P3HT的浓度为0.5-2mg/ml，Cs2CO3的浓度为0.05-0.2mg/ml，旋涂的转速为3000-4000转/分钟，然后进行退火处理，形成所述P3HT-Cs2CO3界面层；(4)P3HT-CuS复合层的制备：在所述P3HT-Cs2CO3界面层表面旋涂P3HT-CuS混合溶液，其中所述P3HT-CuS混合溶液中P3HT的浓度为5-10mg/ml，CuS的浓度为0.1-0.5mg/ml，旋涂的速度为1500-2000转/分钟，然后进行退火处理，形成所述P3HT-CuS复合层；(5)在所述P3HT-CuS复合层表面制备ITO透明导电层；(6)制备正面栅电极；(7)制备背面电极。