[发明专利]浸没流体控制装置、浸没式光刻系统与回收控制方法有效
申请号: | 201711247417.8 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN109856922B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 聂宏飞;赵丹平;魏巍 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种浸没流体控制装置、浸没式光刻系统与回收控制方法;所述的控制装置包括整机控制单元与回收控制单元;所述整机控制单元,用于向所述回收控制单元发送硅片台运动信息;所述硅片台运动信息用于表征所述硅片台在光刻过程中的运动轨迹;所述回收控制单元,用于根据所述整机控制单元发送的所述硅片台运动信息,计算得到所述光刻过程中的气液回收流量,并在所述光刻过程中,根据所述气液回收流量控制所述气液回收机构进行气液回收。 | ||
搜索关键词: | 浸没 流体 控制 装置 光刻 系统 回收 方法 | ||
【主权项】:
1.一种浸没流体控制装置,应用于浸没式光刻系统,所述浸没式光刻系统包括硅片台,以及气液回收机构,所述控制装置包括:整机控制单元与回收控制单元;所述整机控制单元,用于向所述回收控制单元发送硅片台运动信息;所述硅片台运动信息用于表征所述硅片台在光刻过程中的运动轨迹;所述回收控制单元,用于根据所述整机控制单元发送的所述硅片台运动信息,计算得到所述光刻过程中的气液回收流量,并在所述光刻过程中,根据所述气液回收流量控制所述气液回收机构进行气液回收。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司,未经上海微电子装备(集团)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711247417.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。