[发明专利]带隙基准源启动电路有效
| 申请号： | 201711234767.0 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107943182B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 邵博闻 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带隙基准源启动电路，包括三个PMOS晶体管、一个比较器、两个三极管、四个电阻和一个NMOS晶体管；在现有的带隙基准源启动电路基础上，在第二电阻与地线之间增加了一个NMOS晶体管，该NMOS晶体管的漏极与第二电阻相连接，其源极接地，其栅极与启动电路的输出端相连接。本发明可以避免三极管零电流的简并点。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 启动 电路 | ||
【主权项】：
1.一种带隙基准源启动电路，包括：三个PMOS晶体管、一个比较器、两个三极管和四个电阻；第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的栅极与比较器的输出端相连接；第一PMOS晶体管的漏极与所述比较器的反向输入端和第一三极管的发射极相连接，该连接的节点记为A；第二PMOS晶体管的漏极与所述比较器的正向输入端和第一电阻的一端以及第三电阻的一端相连接，该连接的节点记为B；第一电阻的另一端与第二三极管的发射极相连接；第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的一端相连接，第四电阻的另一端接地，第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的连接节点作为启动电路的输出端；第一三极管的集电极和基极、第二三极管的集电极和基极、第三电阻的另一端和第四电阻的另一端均接地；第二电阻的一端与所述节点A相连接；其特征在于：还包括一第一NMOS晶体管，第二电阻的另一端与第一NMOS晶体管的漏极相连接，第一NMOS晶体管的源极接地，第一NMOS晶体管的栅极与启动电路的输出端相连接。
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