[发明专利]一种内置MCU可动态切换电压检测点的低电压检测电路有效

专利信息
申请号: 201711233553.1 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN108008179B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 李世伟;刘明峰;胡依婷;郭晖 申请(专利权)人: 无锡中微爱芯电子有限公司
主分类号: G01R19/165 分类号: G01R19/165;G05B19/042
代理公司: 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 代理人: 陈娟
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了电压检测技术领域的一种内置MCU可动态切换电压检测点的低电压检测电路,包括电阻R3,所述电阻R3的一端接地,所述电阻R3的另一端并接有电阻R2和MOS晶体管N1的漏极,所述MOS晶体管N1的源极和电阻R2的另一端均并接有电阻R1和运放的反相输入端,所述运放的同相输入端口连接有基准电压Vref,所述MOS晶体管N1的栅极串接有INV1的输出端,所述运放的另一端串接有触发器T1,所述触发器T1的另一端通过N组触发器D并接有延迟单元DL1的输入端和INV1的输入端,实现了电压检测模块的复用,一个电压检测模块就可以实现低电压中断和低电压复位两种功能,在保证功能的情况下,节省了芯片的面积,降低了电路的静态功耗。
搜索关键词: 一种 内置 mcu 动态 切换 电压 检测 电路
【主权项】:
1.一种内置MCU可动态切换电压检测点的低电压检测电路,包括电阻R3,其特征在于:所述电阻R3的一端接地,所述电阻R3的另一端并接有电阻R2和MOS晶体管N1的漏极,所述MOS晶体管N1的源极和电阻R2的另一端均并接有电阻R1运放的反相输入端,所述运放的同相输入端口连接有基准电压Vref,所述MOS晶体管N1的栅极串接有INV1的输出端,所述运放的另一端串接有触发器T1,所述触发器T1的另一端通过N组触发器D并接有延迟单元DL1的输入端和INV1的输入端。
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