[发明专利]一种内置MCU可动态切换电压检测点的低电压检测电路

说明书

本发明公开了电压检测技术领域的一种内置MCU可动态切换电压检测点的低电压检测电路，包括电阻R3，所述电阻R3的一端接地，所述电阻R3的另一端并接有电阻R2和MOS晶体管N1的漏极，所述MOS晶体管N1的源极和电阻R2的另一端均并接有电阻R1和运放的反相输入端，所述运放的同相输入端口连接有基准电压Vref，所述MOS晶体管N1的栅极串接有INV1的输出端，所述运放的另一端串接有触发器T1，所述触发器T1的另一端通过N组触发器D并接有延迟单元DL1的输入端和INV1的输入端，实现了电压检测模块的复用，一个电压检测模块就可以实现低电压中断和低电压复位两种功能，在保证功能的情况下，节省了芯片的面积，降低了电路的静态功耗。

技术领域

本发明涉及电压检测技术领域，具体为一种内置MCU可动态切换电压检测点的低电压检测电路。

背景技术

现在MCU产品的应用范围非常广泛，芯片在电源电压高于一定值时才能正常的工作，为了保证芯片稳定可靠的工作，越来越多的MCU类芯片中都会内置电压检测电路，当电源电压低于设计的电压检测点时，MCU芯片产生中断信号，发出电源电压低的警告；如果电源电压继续降低，低于另一个电压检测点时，MCU芯片产生复位信号，将芯片复位，防止芯片工作状态异常。如图1所示现有MCU电路中实现低电压中断和低电压复位电路的低电压检测电路，同时实现低电压中断和低电压复位的功能需要两个电压检测模块，这就导致芯片的面积较大，增加了芯片的制造成本，同时也会产生较大的功耗。为此，我们提出一种内置MCU可动态切换电压检测点的低电压检测电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种内置MCU可动态切换电压检测点的低电压检测电路，以解决上述背景技术中提出的导致芯片的面积较大，增加了芯片的制造成本，同时也会产生较大的功耗的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种内置MCU可动态切换电压检测点的低电压检测电路，包括电阻R3，所述电阻R3的一端接地，所述电阻R3的另一端并接有电阻R2和MOS晶体管N1的漏极，所述MOS晶体管N1的源极和电阻R2的另一端均并接有电阻R1和运放的反相输入端，所述运放的同相输入端口连接有基准电压Vref，所述MOS晶体管N1的栅极串接有INV1的输出端，所述运放的另一端串接有触发器T1，所述触发器T1的另一端通过N组触发器D并接有延迟单元DL1的输入端和INV1的输入端，所述INV1为逻辑反向电路。

优选的，所述触发器D的时钟CLK来自MCU的系统时钟。

优选的，所述触发器T1、触发器D的复位信号来自MCU的系统复位。

优选的，所述N为大于或等3的整数，且N的个数大于执行中断所需的时钟数。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该发明提出的一种内置MCU可动态切换电压检测点的低电压检测电路，通过加入电压检测点切换电路，实现了电压检测模块的复用，一个电压检测模块就可以实现低电压中断和低电压复位两种功能，在保证功能的情况下，节省了芯片的面积，降低了电路的静态功耗。

附图说明

图1为本发明现有MCU电路中实现低电压中断和低电压复位电路的低电压检测电路图；

图2为本发明可动态切换电压检测点的低电压检测电路图；

图3为本发明DL1的延迟时间要求时序图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。