[发明专利]一种三态输入检测电路及其检测方法有效

专利信息
申请号: 201711233375.2 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN107991523B 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 陈志坚;吴朝晖;李斌;陈鸿 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 代理人: 黄为
地址: 510640 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种三态输入检测电路,其中,包括依次连接的分压电路和分压后检测电路,所述的分压电路连接一输入信号Vin,用于将输入信号进行分压;所述的分压后检测电路,用于检查输入信号的输入状态。本发明的一种三态输入检测电路具有检测准确性高的特点。本发明还公开了该检测电路的检测方法。
搜索关键词: 一种 三态 输入 检测 电路 及其 方法
【主权项】:
1.一种三态输入检测电路,其特征在于,包括依次连接的分压电路(1)和分压后检测电路(2),所述的分压电路(1)连接一输入信号(Vin),用于将输入信号进行分压;所述的分压电路(1)包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、NMOS管NM1,所述的输入信号(Vin)通过电阻R5后分别与PMOS管PM3的源极、NMOS管NM1的源极连接,所述NMOS管NM1的漏极依次连接电阻R3、电阻R1后与PMOS管PM1的源极连接,所述PMOS管PM1的栅极分别连接PMOS管PM1的漏极、PMOS管PM2的源极以及NMOS管NM1的栅极,所述PMOS管PM2的栅极分别与PMOS管PM2的漏极、PMOS管PM3的栅极连接,所述PMOS管PM2的漏极依次连接电阻R2、电阻R4后与PMOS管PM3的漏极连接,所述电阻R2和电阻R4之间接地,所述电阻R1和电阻R3之间连接有一工作电压(VDD);所述的分压后检测电路(2),用于检查输入信号的输入状态;所述的分压后检测电路(2)包括反相器U1、反相器U2、反相器U3、反相器U4、反相器U5、反相器U6、反相器U7、PMOS管PM4、PMOS管PM5、NMOS管NM2、NMOS管NM3,所述NMOS管NM1的漏极通过反相器U1后分别与反相器U2、PMOS管PM4的源极、PMOS管PM5的栅极连接,所述反相器U2的输出分别连接NMOS管NM2的源极、NMOS管NM3的栅极,所述PMOS管PM3的漏极通过反相器U3分别与NMOS管NM2的栅极、NMOS管NM3的源极、PMOS管PM4的栅极、PMOS管PM5的源极以及反相器U6连接,所述NMOS管NM2的漏极与NMOS管NM3的漏极、PMOS管PM4的漏极以及PMOS管PM5的漏极并联后依次经过反相器U4、反相器U5后连接输出端OUT1,所述反相器U6的输出端连接反相器U7后连接输出端OUT2。
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