[发明专利]一种三态输入检测电路及其检测方法有效
申请号: | 201711233375.2 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107991523B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 陈志坚;吴朝晖;李斌;陈鸿 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人: | 黄为 |
地址: | 510640 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三态 输入 检测 电路 及其 方法 | ||
本发明公开了一种三态输入检测电路,其中,包括依次连接的分压电路和分压后检测电路,所述的分压电路连接一输入信号Vin,用于将输入信号进行分压;所述的分压后检测电路,用于检查输入信号的输入状态。本发明的一种三态输入检测电路具有检测准确性高的特点。本发明还公开了该检测电路的检测方法。
技术领域
本发明涉及一种电路检测装置,更具体地说,尤其涉及一种三态输入检测电路;本发明还涉及一种三态输入检测电路的检测方法。
背景技术
电路的输入状态一般情况下包括高电平、低电平和高阻状态(悬浮状态)三种基本逻辑状态。通常在设计电路时会采用检测电路来确定输入电压处于高电平、低电平还是高阻态。
如图1所示,传统的三态检测电路的输入信号与电阻R1和电阻R2并联构成输入分压电路,输入信号还连接晶体管M1的栅极和晶体管M2的栅极,电阻R1的另一端分别与晶体管M1的漏极和晶体管M2的漏极连接,电阻R2的另一端分别与晶体管M1的源极和晶体管M2的源极连接,构成翻转阈值不同的比较器,当输入为高电平或者低电平时,Vin被输入信号拉高或者拉低,比较输出对应的结果。当输入为高阻态时,分压电路提供Vin电压,输出对应结果。从而达到检测输入状态的目的。传统三态检测电路在高噪声、电源电压不稳定时会出现检测错误,抗干扰能力较差,同时其分压电路电流消耗较大。因此,亟待发明一种使检测准确性更高的三态输入检测电路。
发明内容
本发明的前一目的在于提供一种三态输入检测电路,该检测电路通过输入状态控制两个NMOS和两个PMOS传输门的工作,实现三态输入检测,具有检测准确性高的特点。本发明的后一目的在于提供一种三态输入检测电路的检测方法。
本发明前一技术方案如下:
一种三态输入检测电路,其中,包括依次连接的分压电路和分压后检测电路,
所述的分压电路连接一输入信号Vin,用于将输入信号进行分压;
所述的分压后检测电路,用于检查输入信号的输入状态。
优选的,所述的分压电1包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、NMOS管NM1,所述的输入信号Vin通过电阻R5后分别与PMOS管PM3的源极、NMOS管NM1的源极连接,所述NMOS管NM1的漏极依次连接电阻R3、电阻R1后与PMOS管PM1的源极连接,所述PMOS管PM1的栅极分别连接PMOS管PM1的漏极、PMOS管PM2的源极以及NMOS管NM1的栅极,所述PMOS管PM2的栅极分别与PMOS管PM2的漏极、PMOS管PM3的栅极连接,所述PMOS管PM2的漏极依次连接电阻R2、电阻R4后与PMOS管PM3的漏极连接,所述电阻R2和电阻R4之间接地,所述电阻R1和电阻R3之间连接有一工作电压VDD。
优选的,所述的分压后检测电路包括反相器U1、反相器U2、反相器U3、反相器U4、反相器U5、反相器U6、反相器U7、PMOS管PM4、PMOS管PM5、NMOS管NM2、NMOS管NM3,所述NMOS管NM1的漏极通过反相器U1后分别与反相器U2、PMOS管PM4的源极、PMOS管PM5的栅极连接,所述反相器U2的输出分别连接NMOS管NM2的源极、NMOS管NM3的栅极,所述PMOS管PM3的漏极通过反相器U3分别与反相器U3的栅极、NMOS管NM3的源极、PMOS管PM4的栅极、PMOS管PM5的源极以及反相器U6连接,所述NMOS管NM2的漏极与NMOS管NM3的漏极、PMOS管PM4的漏极以及PMOS管PM5的漏极并联后依次经过反相器U4、反相器U5后连接输出端OUT1,所述反相器U6的输出端连接反相器U7后连接输出端OUT2。
本发明后一技术方案如下:
一种三态输入检测电路的检测方法,包括如下步骤:
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