[发明专利]200取向TiN电极及其在制备阻变式存储器上的应用在审
| 申请号： | 201711225229.5 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN107910441A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 董凯锋;孙超;卢慎敏;袁震宇;晋芳;莫文琴;宋俊磊 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉） |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉知产时代知识产权代理有限公司42238 | 代理人： | 龚春来 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种200取向TiN电极，所述200取向TiN电极包括氮化钛、氮氧化钛和二氧化钛，其中，所述氮化钛的摩尔分数为11％～42％，所述氮氧化钛的摩尔分数为17％～47％，所述二氧化钛的摩尔分数为26％～56％。本发明提供的200取向TiN电极应用在制备阻变式存储器上。本发明提供的200取向TiN电极具有良好的储氧能力，能够显著提升阻变式存储器的性能，利用本发明提供的200取向TiN电极制备得到的以二元氧化物、三元氧化物或硫系化合物为中间阻变层，以Pt、Au、Ag、Cu中的任一种为顶电极的阻变式存储器具有很好的双极性阻变效果。 | ||
| 搜索关键词： | 200 取向 tin 电极 及其 制备 阻变式 存储器 应用 | ||
【主权项】：
一种200取向TiN电极，其特征在于，所述200取向TiN电极包括氮化钛、氮氧化钛和二氧化钛，其中，所述氮化钛的摩尔分数为11％～42％，所述氮氧化钛的摩尔分数为17％～47％，所述二氧化钛的摩尔分数为26％～56％。
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