[发明专利]一种近红外量子点单光子源的制备方法

摘要

本发明涉及一种近红外量子点单光子源的制备方法，目的是为了解决单量子点产生单光子的过程中会发生俄歇电离或者载流子俘获，从而造成单量子点荧光辐射出现荧光中断甚至荧光淬灭等现象的技术问题。本发明所采用的技术方案是：一种近红外量子点单光子源的制备方法，包括以下步骤：将盖玻片表面进行清洁；对盖玻片表面进行氨基功能化处理；将近红外单量子点通过化学键固定在盖玻片上；将单量子点浸没在保护剂中；加盖另外的一个盖玻片防止保护剂的蒸发和隔离外界环境的影响；本发明通过保护剂薄膜有效地消除近红外单量子点的电离态来有效地抑制近红外单量子点的荧光辐射中断和光漂白，从而使量子点产生稳定的单光子辐射。

主权项

1.一种近红外量子点单光子源的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)将硼硅酸盐盖玻片分别用丙酮、氢氧化钠溶液和超纯水超声清洗，然后在450摄氏度的加热箱中焙烧15小时，并经臭氧氧化处理1.5小时；(b)将步骤(a)清洁后的硼硅酸盐盖玻片浸没在1.3μM的3-氨基丙基三乙氧基硅烷溶液中5小时，对硼硅酸盐盖玻片表面进行氨基功能化处理；(c)将10-10～10-9M的表面羧基化的近红外CdSeTe/ZnS3ML核/多壳层量子点的水溶液旋涂到氨基功能化的硼硅酸盐盖玻片表面上，使氨基与羧基通过化学反应连接在一起，从而使表面羧基化的近红外CdSeTe/ZnS3ML核/多壳层量子点固定到硼硅酸盐盖玻片表面上，使用超纯水超声清洗硼硅酸盐盖玻片，清除未固定的单量子点；(d)取30μL的保护剂以2500转/分钟的转速旋涂在固定有单量子点的硼硅酸盐盖玻片表面，形成一层保护剂薄膜，使单量子点完全浸没在保护剂薄膜中，并另取一硼硅酸盐盖玻片盖在保护剂薄膜之上以缓减保护剂的挥发，从而制成近红外量子点单光子源。