[发明专利]差分CMOS处理电路及振荡系统在审
| 申请号： | 201711220186.1 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107947756A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈振雄;高同强 | 申请（专利权）人： | 中科亿海微电子科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种差分CMOS处理电路，包括两个源端互连的PMOS；两个源端互连的NMOS；滤波单元，分别与所述两个PMOS和两个NMOS相连，用于滤除该差分CMOS处理电路内部的低频信号，保留其中的高频信号，所述高频信号指预设频段范围内的信号，所述低频信号指低于所述预设频段范围内的信号；其中，所述两个PMOS和两个NMOS分别形成交叉耦合负阻结构，所述滤波单元形成高通滤波结构。此外，本公开还提供了一种振荡系统。本公开基于FBAR器件独特的阻抗特性，同时引入滤波单元，能够形成交叉耦合负阻结构和高通滤波结构，该振荡系统具有相位噪声特性好、线性度好、信号幅度大和功耗低的特性。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 处理 电路 振荡 系统 | ||
【主权项】：
一种差分CMOS处理电路，包括：两个PMOS，第一PMOS与第二PMOS的源端互连；两个NMOS，第一NMOS与第二NMOS的源端互连；以及滤波单元，分别与所述两个PMOS和两个NMOS相连，用于滤除该差分CMOS处理电路内部的低频信号，保留其中的高频信号，所述高频信号指预设频段范围内的信号，所述低频信号指低于所述预设频段范围内的信号；其中，所述两个PMOS和两个NMOS分别形成交叉耦合负阻结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科亿海微电子科技（苏州）有限公司，未经中科亿海微电子科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711220186.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
