[发明专利]差分CMOS处理电路及振荡系统

权利要求书

1.一种差分CMOS处理电路，包括：

两个PMOS，第一PMOS与第二PMOS的源端互连；

两个NMOS，第一NMOS与第二NMOS的源端互连；以及

滤波单元，分别与所述两个PMOS和两个NMOS相连，用于滤除该差分CMOS处理电路内部的低频信号，保留其中的高频信号，所述高频信号指预设频段范围内的信号，所述低频信号指低于所述预设频段范围内的信号；

其中，所述两个PMOS和两个NMOS分别形成交叉耦合负阻结构。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述滤波单元包括：

四个滤波电容，其中，第一滤波电容分别与第一PMOS的漏极和第二PMOS的栅极相连，第二滤波电容分别与第一PMOS的栅极和第二PMOS的漏极相连；第三滤波电容分别与第一NMOS的漏极和第二NMOS的栅极相连，第四滤波电容分别与第一NMOS的栅极和第二NMOS的漏极相连；以及

四个滤波电阻，其中，第一滤波电阻分别与第二PMOS的栅极和第三滤波电阻相连；第三滤波电阻还与第二NMOS的栅极相连；第二滤波电阻分别与第四滤波电阻和第一PMOS的栅极相连；第四滤波电阻还与第一NMOS的栅极相连。

3.根据权利要求2所述的电路，其中，所述电路还包括：

两个偏置电阻，其中，第一偏置电阻的第一端与第一滤波电容和第三滤波电容相连，该第一偏置电阻的第一端记为第一节点X，第二端与第一滤波电阻和第三滤波电阻相连；第二偏置电阻的第一端与第二滤波电容和第四滤波电容相连，该第二偏置电阻的第一端记为第二节点Y，第二端与第二滤波电阻和第四滤波电阻相连；且第一偏置电阻的第二端与第二偏置电阻的第二端相连，同时与四个滤波电阻的一端相连，形成交流地。

4.根据权利要求1至3任一所述的电路，其中，所述第一PMOS与第二PMOS的源端接入Vdd端，Vdd端电压不为0。

5.根据权利要求4所述的电路，其中，所述第一NMOS与第二NMOS 的源端接地。

6.根据权利要求5所述的电路，其中，所述两个PMOS的衬底端互连，并加载一第一预设电压，所述第一预设电压小于或等于所述Vdd端电压。

7.根据权利要求6任一所述的电路，其中，所述两个NMOS的衬底端互连，并加载一第二预设电压，所述第二预设电压大于或等于接地电压，且小于第一预设电压。

8.根据权利要求7所述的电路，其中，所述两个PMOS和两个NMOS形成交叉耦合负阻结构指：

交流信号在第一PMOS管导通状态下由第一PMOS管的漏端流出，依次经过第一滤波电容和第一滤波电阻，直至流入第二PMOS管的栅端；

交流信号在第二PMOS管导通状态下由第二PMOS管的漏端流出，依次经过第二滤波电容和第二滤波电阻，直至流入第一PMOS管的栅端；

交流信号在第一NMOS管导通状态下由第一NMOS管的漏端流出，依次经过第三滤波电容和第三滤波电阻，直至流入第二NMOS管的栅端；

交流信号在第二NMOS管导通状态下由第二NMOS管的漏端流出，依次经过第四滤波电容和第四滤波电阻，直至流入第一NMOS管的栅端。

9.一种振荡系统，包括如权利要求1至8任一所述的差分CMOS处理电路，其中，该系统还包括：

薄膜体声波谐振器件，其两端分别与第一节点X与第二节点Y相连，且该薄膜体声波谐振器件在该差分CMOS处理电路的作用下，表现为电感特性时，形成LC振荡电路。

10.根据权利要求9所述的振荡系统，其中，还包括：

并联电容，其两端分别与所述薄膜体声波谐振器件的两端相连。