[发明专利]电平移位器在审

专利信息
申请号: 201711211282.X 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN108418576A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 坂口薰 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;邓毅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供电平移位器,即使在输入侧的电源停止工作的情况下,也能够防止输出信号的电平不稳定。在电源电位与基准电位之间,第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二PMOS晶体管以及第二NMOS晶体管分别经由反相输出节点和同相输出节点而串联连接,第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管分别与第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管并联连接,第一PMOS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管的栅极与同相输出节点连接,第二PMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极与反相输出节点连接,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极分别接收输入信号的同相信号和反相信号。
搜索关键词: 输出节点 电平移位器 反相 接收输入信号 并联连接 电源电位 反相信号 基准电位 输出信号 同相信号 输入侧 电源
【主权项】:
1.一种电平移位器,其将具有提供给第一电源线的第一电源电压与提供给第二电源线的第二电源电压之间的振幅的输入信号转换成具有所述第一电源电压与提供给第三电源线的第三电源电压之间的振幅的信号而输出,其特征在于,该电平移位器具有:同相输出节点,其生成转换后的信号的同相信号;反相输出节点,其生成转换后的信号的反相信号;第一导电型的第一MOS晶体管,其栅极接收所述输入信号的同相信号,源极与所述第一电源线连接,漏极与所述反相输出节点连接;第一导电型的第二MOS晶体管,其栅极接收所述输入信号的反相信号,源极与所述第一电源线连接,漏极与所述同相输出节点连接;第二导电型的第三MOS晶体管,其栅极与所述同相输出节点连接,源极与所述第三电源线连接,漏极与所述反相输出节点连接;第二导电型的第四MOS晶体管,其栅极与所述反相输出节点连接,源极与所述第三电源线连接,漏极与所述同相输出节点连接;第一导电型的第五MOS晶体管,其栅极与所述同相输出节点连接,源极与所述第一电源线连接,漏极与所述反相输出节点连接;以及第一导电型的第六MOS晶体管,其栅极与所述反相输出节点连接,源极与所述第一电源线连接,漏极与所述同相输出节点连接。
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