[发明专利]电平移位器在审
申请号: | 201711211282.X | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108418576A | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 坂口薰 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出节点 电平移位器 反相 接收输入信号 并联连接 电源电位 反相信号 基准电位 输出信号 同相信号 输入侧 电源 | ||
本发明提供电平移位器,即使在输入侧的电源停止工作的情况下,也能够防止输出信号的电平不稳定。在电源电位与基准电位之间,第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二PMOS晶体管以及第二NMOS晶体管分别经由反相输出节点和同相输出节点而串联连接,第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管分别与第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管并联连接,第一PMOS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管的栅极与同相输出节点连接,第二PMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极与反相输出节点连接,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极分别接收输入信号的同相信号和反相信号。
技术领域
本发明涉及将输入电压转换成不同电平的电压的电平移位器(Level shifter)。
背景技术
图4示出以往的电平移位器400的电路图(例如,参照专利文献1)。
以往的电平移位器400构成为具有NMOS晶体管401、402、PMOS晶体管411、412,分别由NMOS晶体管401和402的栅极接收具有提供给电源线41的基准电压VSS与提供给电源线42的电源电压VDD1之间的振幅的输入信号IN的同相信号和反相信号,且转换成具有基准电压VSS与提供给电源线43的电源电压VDD2之间的振幅的信号而作为输出信号OUT输出。
在这样的以往的电平移位器400中,在输入侧的电源由于某些因素而停止工作的情况下或在电源启动时输入侧的电源电压(电源电压VDD1)的上升延迟的情况下,NMOS晶体管401、402的各栅极电压不稳定,因此输出信号OUT不稳定,产生在根据输出信号OUT而进行动作的后级的电路中流过贯通电流等问题。
作为其对策,在专利文献2中公开了如下的电平移位器:在没有提供输入侧的电源时,追加了维持输出信号的逻辑的反馈电路部(170)。
专利文献1:日本特开2001-036398号公报
专利文献2:日本特开2013-187712号公报
然而,在专利文献2所示的电平移位器中,为了构成用于维持输出信号的逻辑的反馈电路部,与以往的电平移位器400的元件数相比,需要追加不可忽视的数量的元件(在专利文献2的图1中追加6个NMOS晶体管)。因此,电路规模变大,导致成本增大。
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供如下的电平移位器:能够抑制电路规模的增加,并且即使在输入侧的电源停止工作或者在电源启动时输入侧的电源电压的上升延迟的情况下,也能够防止输出信号的电平不稳定。
本发明的电平移位器其将具有提供给第一电源线的第一电源电压与提供给第二电源线的第二电源电压之间的振幅的输入信号转换成具有所述第一电源电压与提供给第三电源线的第三电源电压之间的振幅的信号而输出,其特征在于,该电平移位器具有:同相输出节点,其生成转换后的信号的同相信号;反相输出节点,其生成转换后的信号的反相信号;第一导电型的第一MOS晶体管,其栅极接收所述输入信号的同相信号,源极与所述第一电源线连接,漏极与所述反相输出节点连接;第一导电型的第二MOS晶体管,其栅极接收所述输入信号的反相信号,源极与所述第一电源线连接,漏极与所述同相输出节点连接;第二导电型的第三MOS晶体管,其栅极与所述同相输出节点连接,源极与所述第三电源线连接,漏极与所述反相输出节点连接;第二导电型的第四MOS晶体管,其栅极与所述反相输出节点连接,源极与所述第三电源线连接,漏极与所述同相输出节点连接;第一导电型的第五MOS晶体管,其栅极与所述同相输出节点连接,源极与所述第一电源线连接,漏极与所述反相输出节点连接;以及第一导电型的第六MOS晶体管,其栅极与所述反相输出节点连接,源极与所述第一电源线连接,漏极与所述同相输出节点连接。
发明效果
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