[发明专利]Si基垂直腔面发射芯片

摘要

本发明公开了一种Si基垂直腔面发射芯片，结构包括从下到上排列的n型电极，衬底，缓冲层，位于衬底上的下分布式布拉格反射镜，位于下分布式布拉格反射镜上的有源区，位于有源区上的上分布式布拉格反射镜，位于上分布式布拉格反射镜上的p型电极以及位于圆柱形台面周围的SiO2限制层。本发明在n型硅基板上制备硅掺杂的(AlxGa1‑x)2O3、(AlyGa1‑y)2O3叠层结构作为下分布式布拉格反射镜，并采用稀土掺杂的Ga2O3作为n型发光材料，以GaAs、AlGaAs或InP、InGaAsP叠层结构作为上分布式布拉格反射镜。作为本发明所述的硅基垂直腔面面发射光源，具有高热稳定性，高化学稳定性，且制备方法简单，可靠性高。

主权项

Si基垂直腔面发射芯片，其特征在于，包括：n型电极，位于所述n型电极上的n型Si衬底（20），位于所述Si衬底（20）上的缓冲层（30），位于所述缓冲层（30）上的下分布式布拉格反射镜（40），位于所述下分布式布拉格反射镜（40）上的稀土掺杂氧化镓有源层（50），位于所述稀土掺杂氧化镓有源层（50）上的上分布式布拉格反射镜（60），位于所述上分布式布拉格反射镜（60）上的P型电极（70），以及SiO2限制层（80）；所述SiO2限制层位于下分布式布拉格反射镜（40）、有源层（50）、上分布式布拉格反射镜（60）三部分围成的圆柱形台面周围。