[发明专利]一种具有较高速率的电路基板线圈线路蚀刻工艺

摘要

本发明提供一种具有较高速率的电路基板线圈线路蚀刻工艺，包括以下步骤，S1预备用于进行加工处理的纯铜箔；S2采用激光蚀刻在步骤S1准备好的铜箔表面刻蚀槽体，槽体可以为盲槽或者是100％贯穿的通槽通孔；S3蚀刻沟道；在步骤S2完成槽体加工处理后，即在铜箔加工面刻出沟道，沟道的宽度范围为10um‑100um，沟道的深度范围为被刻铜箔厚度的10％‑‑100％；S4对步骤S3加工处理完成后的铜箔进行前处理；S5在铜箔表面压合基材；首先在铜箔表面粘贴胶体，再在胶体正面压合线路板基材，S6进行蚀刻线圈线路加工处理，本设计可实现超细线路的制作，实现铜箔厚度>40um在蚀刻线圈时，线圈与线圈间的线距时<40um，从而提高线圈的线路本体宽度，提高线圈导体横截面积。

主权项

一种具有较高速率的电路基板线圈线路蚀刻工艺，其特征在于：包括以下步骤，S1：预备用于进行加工处理的纯铜箔，并对铜箔加工面进行清洁处理；S2:采用激光蚀刻在步骤S1准备好的铜箔表面刻蚀槽体，槽体可以为盲槽或者是100％贯穿的通槽通孔；S3:蚀刻沟道；在步骤S2完成槽体加工处理后，即在铜箔加工面刻出沟道，沟道的宽度范围为10um‑100um，沟道的深度范围为被刻铜箔厚度的10％‑‑100％；S4：对步骤S3加工处理完成后的铜箔进行前处理；前处理过程包括微蚀修整、水处理以及烘干三步处理流程；S5：在铜箔表面压合基材；首先在铜箔表面粘贴胶体，再在胶体正面压合线路板基材；S6：进行蚀刻线圈线路加工处理；处理过程包括以下步骤，A1：对铜箔进行镀层保护；采用电镀锡或化学镀锡工艺在铜箔表层形成铜箔Coating涂层；在铜箔上形成0.001微米‑500微米厚度范围的蚀刻保护层；A2：激光刻蚀线路；采用激光(激光蚀刻的激光为皮秒，纳秒，飞秒或准分子激光器，且激光光源为绿光，UV紫光或者CO2激光光源)在步骤A1中已经受Coating层保护的铜箔表面刻出线圈与线圈之间的距离(线距)，且刻蚀的宽度在5微米‑100微米之间，刻蚀的深度为Coating+导体铜箔厚度的1％‑110％之间；A3：线路刻蚀完成后，对刻蚀沟道进行清理清洁；采用正常PCB工厂的等离子气体与超声波液体进行沟道内的激光残渣清洁，便于后续的线路成形；A4：进行最后的清洗、烘干处理；S7：步骤S6蚀刻处理完毕后，去掉剩余干膜；S8：进行最后的清洗、烘干处理，得到电路基板线圈线路模组成品。