[发明专利]GaN基垂直LED结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基垂直LED结构及其制备方法。其中，GaN基垂直LED结构，包括：衬底，为透明、导电、与GaN晶格失配度在1％～15％的宽禁带半导体材料；依次外延于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层、p型GaN层以及反射膜；以及p/n电极，分别位于反射膜的上方、衬底的背面。实现了直接在衬底上外延生长垂直结构LED，仅通过一次外延即可获得大注入电流密度、高亮、垂直LED结构，为垂直结构LED的制备提供了工艺简单、有效降低时间成本的技术路线，完全能够满足通用照明低成本、高性能、高成品率的大规模生产要求，在保证性能要求的同时有助于实现量产。

主权项

1.一种GaN基垂直LED结构，包括：衬底，为透明、导电、与GaN晶格失配度在1％～15％的宽禁带半导体材料；依次外延于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层、p型GaN层以及反射膜；以及p/n电极，分别位于反射膜的上方、衬底的背面；其中，所述n型GaN层通过如下外延生长方法获得：结合采用暂停生长、间歇通NH₃、以及同时通NH₃源和Ga源的方法进行n型GaN层的生长；其中，所述暂停生长表示在升温至生长温度时关闭Ga源，暂停一预定时间的生长；所述间歇通NH₃表示Ga源和NH₃采取不同的时间分段进行通入，且重复预定的周期。