[发明专利]一种最小曝光能量的测量方法在审
| 申请号： | 201711176226.7 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107748484A | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 刘智敏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种最小曝光能量的测量方法，测量方法包括步骤S1、提供一晶圆，于晶圆上涂覆一层光阻层；步骤S2、采用一晶圆晶边曝光装置，根据预设的多个时间段分别对光阻层上预设的多个区域分别进行曝光，每个区域分别对应一唯一的时间段；步骤S3、利用显影工艺，对经过曝光的光阻层进行显影，以形成对应每个区域的图形；步骤S4、利用显影后检测工艺，获取对应每个时间段的图形，并处理得到每个时间段和相应的图形的对应关系及最小曝光能量。本发明的有益效果无需曝光机支持即可得到光刻胶的最小曝光能量，根据得出的最小曝光能量能够优化硅片边缘曝光制程的照明条件，从而避免光刻胶残留的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 最小 曝光 能量 测量方法 | ||
【主权项】：
一种最小曝光能量的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：步骤S1、提供一晶圆，于所述晶圆上涂覆一层光阻层；步骤S2、采用一晶圆晶边曝光装置，根据预设的多个时间段分别对所述光阻层上预设的多个区域分别进行曝光，每个所述区域分别对应一唯一的所述时间段；步骤S3、利用显影工艺，对经过曝光的所述光阻层进行显影，以形成对应每个所述区域的所述图形；步骤S4、利用显影后检测工艺，获取对应每个所述时间段的所述图形，并处理得到每个所述时间段和相应的所述图形的对应关系及最小曝光能量。
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