[发明专利]一种最小曝光能量的测量方法

权利要求书

1.一种最小曝光能量的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：

步骤S1、提供一晶圆，于所述晶圆上涂覆一层光阻层；

步骤S2、采用一晶圆晶边曝光装置，根据预设的多个时间段分别对所述光阻层上预设的多个区域分别进行曝光，每个所述区域分别对应一唯一的所述时间段；

步骤S3、利用显影工艺，对经过曝光的所述光阻层进行显影，以形成对应每个所述区域的所述图形；

步骤S4、利用显影后检测工艺，获取对应每个所述时间段的所述图形，并处理得到每个所述时间段和相应的所述图形的对应关系及最小曝光能量。

2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述图形为条状。

3.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述多个区域对应的区域位置互不相同。

4.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述多个时间段对应的时间长度互不相同。

5.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述晶圆晶边曝光装置具有两种曝光模式，具体包括：

外周曝光模式，所述外周曝光模式用以形成环形曝光区域；

线型曝光模式，所述线型曝光模式用以形成条形曝光区域。

6.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：

步骤S5、根据所述对应关系处理得到同一所述光阻层对应不同所述时间段曝光产生的工艺窗口。

7.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述区域的数量为12个。