[发明专利]一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法在审
| 申请号： | 201711175831.2 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107976473A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王耀斌 | 申请（专利权）人： | 陕西盛迈石油有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 西安亿诺专利代理有限公司61220 | 代理人： | 华长华 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及分析化学材料制备技术领域，具体涉及L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法。一种L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法，将ITO导电玻璃划成4.0cm×0.5cm的长方形，依次用稀氨水、无水乙醇、亚沸水各超声清洗10 min；采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜。将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在HClO4溶液中，12h后取出，并在烘箱中放置1 h，制得纳米多孔金膜电极。将纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/L L‑半胱氨酸水溶液中，在4℃冰箱中保存约2h后取出，冲洗干净并用高纯氮气吹干，即制得L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。本发明采用电化学沉积金银合金及去合金化法在ITO电极表面制备了纳米孔金膜，电极制备方法简单，孔膜结构及表面积可由电沉积条件调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半胱氨酸 修饰 纳米 金孔膜 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法，其特征在于：采用如下步骤：步骤1：纳米金银合金膜电极的制备：将ITO导电玻璃划成4.0cm×0.5cm的长方形，随后依次用稀氨水、无水乙醇、亚沸水各超声清洗10 min；后采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜;步骤2：纳米孔金膜电极的制备：将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在HClO4溶液中，12h后取出，并在烘箱中放置1 h，即制得纳米多孔金膜电极；步骤3：L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备：将制得的纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/L L‑半胱氨酸水溶液中，在4℃冰箱中保存约2 h后取出，冲洗干净并用高纯氮气吹干，即制得L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。
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