[发明专利]一种SONO刻蚀工艺的检测方法有效
| 申请号： | 201711167910.9 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107863305B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 何佳;刘藩东;王鹏;夏志良;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SONO刻蚀工艺的检测方法，其包括以下步骤：形成沟道侧壁堆叠结构，所述堆叠结构为SONO的堆叠结构；刻蚀所述沟道侧壁堆叠结构；在所述沟道中沉积填充掺杂的多晶硅；对所述掺杂的多晶硅进行平坦化处理；进行电子束检测(EBI)以检测所述刻蚀步骤的刻蚀效果。本发明由于采用了在SONO刻蚀后进行的掺杂多晶硅的沉积填充步骤和退火步骤，能够实现SONO刻蚀工艺步骤后的在线电子束检测(EBI)，从而缩短了刻蚀工艺检测的周期，并且提高了检测的精度和有效性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sono 刻蚀 工艺 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种SONO刻蚀工艺的检测方法，其包括以下步骤：形成沟道侧壁堆叠结构，所述堆叠结构为SONO的堆叠结构；刻蚀所述沟道侧壁堆叠结构；在所述沟道中沉积填充掺杂的多晶硅；对所述掺杂的多晶硅进行平坦化处理；进行电子束检测(EBI)以检测所述刻蚀步骤的刻蚀效果。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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