[发明专利]基于双层光栅的芯片-光纤垂直耦合结构有效
| 申请号： | 201711166105.4 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107765375B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘晓平;王鹏 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双层光栅的芯片‑光纤垂直耦合结构。该耦合结构包括衬底、传输介质层、下层光栅、外延介质层和上层光栅，其中，上层光栅和下层光栅使得入射光的0级衍射强度最低，入射光经过耦合结构后传播方向发生90度的偏折。本发明利用双层光栅结构实现了光纤‑芯片间垂直入射的高效耦合，此种设计结构相较现有的耦合光栅结构，具有完全垂直入射、结构简单、易于加工、效率较高的优点。利用本发明的结构，可以实现在通讯波段(1300‑1700nm)光纤‑SOI波导间48％的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 双层 光栅 芯片 光纤 垂直 耦合 结构 | ||
【主权项】：
1.基于双层光栅的芯片‑光纤垂直耦合结构，其特征在于，该耦合结构包括衬底、传输介质层、下层光栅、外延介质层和上层光栅，其中，上层光栅和下层光栅使得入射光的0级衍射强度最低，入射光经过所述耦合结构后的衍射光传播方向与入射光方向形成90度的偏折；所述上层光栅的光栅周期是1.2um，光栅深度是0.8um‑1.2um，光栅占空比为0.7‑0.8；所述下层光栅的光栅周期是0.5‑0.7um，光栅深度为80‑120nm，光栅占空比为0.4‑0.6；外延介质层的厚度是3um。
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