[发明专利]一种无毛刺的光刻方法有效
| 申请号： | 201711140134.3 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107664926B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王世伟 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/30 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种无毛刺的光刻方法，包括以下步骤：S1、对晶圆进行预处理后在晶圆上涂覆一层负型光刻胶，通过光刻版对负型光刻胶进行选择性曝光，光刻机曝光剂量为100mj‑150mj，焦距偏差值小于1μm；S2、对曝光后的晶圆进行第一次旋覆浸没式显影，显影时间为40‑60s；S3、在步骤S2后对晶圆进行第二次旋覆浸没式显影，显影时间为40‑60s。本发明根据负型光刻胶的特性，通过限定曝光量、曝光焦距及2‑3次旋覆浸没式显影的时间，可以使负型光刻胶很好地形成上宽下窄、下层向内凹陷的图形，使金属在蒸镀过程中不会连续性布满在光刻胶上，从而避免光刻胶下层与金属粘连，使去胶后的金属层光滑无毛刺，提高器件电性，提升器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 毛刺 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种无毛刺的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对晶圆进行预处理后在晶圆上涂覆一层负型光刻胶，通过光刻版对负型光刻胶进行选择性曝光，光刻机曝光剂量为100mj‑150mj，焦距偏差值小于1μm；S2、对曝光后的晶圆进行第一次旋覆浸没式显影，显影时间为40‑60s；S3、在步骤S2后对晶圆进行第二次旋覆浸没式显影，显影时间为40‑60s。
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