[发明专利]一种无毛刺的光刻方法有效
| 申请号： | 201711140134.3 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107664926B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王世伟 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/30 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 毛刺 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无毛刺的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、对晶圆进行预处理后在晶圆上涂覆一层负型光刻胶，通过光刻版对负型光刻胶进行选择性曝光，光刻机曝光剂量为100mj-150mj，焦距偏差值小于1μm；
S2、对曝光后的晶圆进行第一次旋覆浸没式显影，显影时间为40-60s；
S3、在步骤S2后对晶圆进行第二次旋覆浸没式显影，显影时间为40-60s,显影后的光刻胶形成上宽下窄且下层向内凹陷的图形。
2.根据权利要求1所述的无毛刺的光刻方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：
S11、对晶圆进行预处理，清洁晶圆表面并去除晶圆表面的水汽；
S12、在晶圆上旋涂一层负型光刻胶，并对光刻胶进行软烘；
S13、通过光刻版对负型光刻胶进行选择性曝光；
S14、对曝光后的晶圆进行后烘。
3.根据权利要求1或2所述的无毛刺的光刻方法，其特征在于，所述步骤S3之后还包括步骤S4：在步骤S3后对晶圆进行第三次旋覆浸没式显影，显影时间为40-60s。
4.根据权利要求3所述的无毛刺的光刻方法，其特征在于，所述步骤S4后还包括：
S5、采用清洗液对显影后的晶圆进行清洗；
S6、对清洗后的晶圆进行硬烘。
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