[发明专利]一种集成式双光路激光电离效应模拟系统在审

专利信息
申请号: 201711132250.0 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN107886820A 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 李沫;孙鹏;黄锋;王小凤;汤戈;代刚;张健 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: G09B23/18 分类号: G09B23/18;G09B23/22
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 代理人: 蒋斯琪
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种集成式双光路激光电离效应模拟系统,该系统主要包括双波长脉冲激光器、双光路衰减模块、显微观察模块、测试与存储模块四个部分,该系统可实现532nm和1064nm双波长同时输出,既能自由灵活地切换两种波长的激光,又能利用二者的合束光对半导体器件的电离效应进行研究和验证,特别是针对伽马射线等辐射源作用于半导体器件剂量率效应的模拟,相比单波长模拟系统调节更加方便、受激光器波动影响更小、适用范围更加广泛。
搜索关键词: 一种 集成 式双光路 激光 电离 效应 模拟 系统
【主权项】:
一种集成式双光路激光电离效应模拟系统,其特征在于:包括调整底座(Ⅰ),光源(Ⅱ),双光路衰减模块(Ⅲ),显微观察模块(Ⅳ),测试与存储模块(Ⅴ);其中:调整底座(Ⅰ),用于稳定支撑整个模拟系统;光源(Ⅱ)及双光路衰减模块(Ⅲ)用于产生双通道波长激光,并根据实际实验需求对两个通道的脉冲激光能量进行衰减;显微观察模块(Ⅳ)用于对半导体器件测试样品(20)进行成像,并对作用于半导体器件测试样品(20)的脉冲激光进行能量测量;测试与存储模块(Ⅴ)用于采集并记录半导体器件测试样品(20)辐射电离效应的响应电信号,通过控制精密位移平台来精确控制光斑作用于半导体器件测试样品(20)上的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院电子工程研究所,未经中国工程物理研究院电子工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711132250.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top